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Memristor memory with volatile and non-volatile states

机译:具有易失性和非易失性状态的忆阻器存储器

摘要

In an example, a method of controlling a memristor memory includes operating the memristor memory in a volatile mode, wherein switching a state of a memristor cell is with a low writing load. The method also includes operating the same memristor memory in a non-volatile mode, wherein switching a state of the memristor cell is with a high writing load.
机译:在示例中,一种控制忆阻器存储器的方法包括以易失性模式操作忆阻器存储器,其中切换忆阻器单元的状态具有低写入负载。该方法还包括以非易失性模式操作相同的忆阻器存储器,其中切换忆阻器单元的状态具有高写入负载。

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