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曹明杰; 赵明; 庄大明; 郭力; 欧阳良琦; 李晓龙; 宋军;
先进成形制造教育部重点实验室清华大学材料学院;
北京100084;
无机非金属材料; IGZO薄膜; 非晶态半导体; 磁控溅射; 迁移率;
机译:双门共面同质结直流溅射非晶铟镓锌锌氧化物薄膜晶体管的电学性能和稳定性及其在AM-OLED中的应用
机译:一种室温工艺,用于制造具有共溅射ZrxSi1-xO2栅极电介质并改善电学和磁滞性能的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管
机译:氧分压对热退火制备非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管电性能的影响
机译:有机钝化对非晶铟镓镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响
机译:利用聚焦离子束制备非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管。
机译:CF4等离子体处理HfO2栅电介质的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电性能和可靠性提高
机译:氧等离子体处理的高性能溶液沉积非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管
机译:磁控溅射工艺参数对非晶碳薄膜电性能的影响
机译:多层非晶铟镓锌氧化物薄膜结构的低发射率薄膜及其制造方法
机译:具有显影表面的铟镓锌氧化物半导体(IGZO)的透明非晶层的制造方法
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