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刘会东; 朱宝石; 朱思成; 魏洪涛;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
石家庄050051;
低噪声放大器(LNA); 氮化镓(GaN); 微波单片集成电路(MMIC); 毫米波; 超宽带;
机译:使用0.25μmALGaN / GaN HEMT技术在SiC衬底上的X波段MMIC低噪声放大器MMIC
机译:毫米波带MMIC低噪声放大器对应表面贴装
机译:采用0.15 um商业pHEMT工艺的毫米波MMIC低噪声放大器
机译:用于收发器前端的宽带平衡AlGaN / GaN HEMT MMIC低噪声放大器
机译:毫米波GaN MMIC与增材制造的集成
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:用mmIC型电路拓扑设计和分析宽带固定调谐亚毫米波导乘法器
机译:基于GaN的数字控制宽带MMIC功率放大器
机译:宽带低噪声放大器(LNA)使用可重新配置带宽用于毫米波5G通信
机译:宽带低噪声放大器(LNA)具有可重新配置的带宽,用于毫米波5G通信
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