不同BCP插层厚度及工作温度对高场有机磁电导正负转变的影响

摘要

采用插入较厚(40,80和120nm)的BCP空穴阻挡层,制备了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3/BCP(xnm)/Al的有机发光二极管,并在不同温度下测量了器件电流随外加磁场的变化(即magneto-conductance,MC).发现不同厚度BCP插层器件在低场(0B50mT)下均表现为正磁电导效应,且这一特性与器件工作温度无关.但高场部分(B>50mT)的MC却表现出对温度及厚度有较强的依赖关系,即随着温度的降低,120nmBCP插层器件表现出明显的正负磁电导转变;而80和40nm的BCP器件则不存在这种转变现象,在低温下只存在负磁电导成分.其原因可能是:MC低场正磁电导部分由超精细相互作用引起;而高场MC的正负转变则主要是由于较厚BCP插层引起大量没有复合的剩余空穴,与低温下长寿命的三重态激子相互作用(即TQA作用)引起的.