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沈睿; 李传皓; 李忠辉; 彭大青; 张东国; 杨乾坤; 罗伟科;
南京电子器件研究所;
N极性GaN; MOCVD; AlN成核层; 正晶向SiC衬底; 微波应用;
机译:从生长在SiO2图案的m面蓝宝石衬底上的孪晶产生的[11’00] GaN畴的自调控面内极性
机译:从在SiO_2图案的m面蓝宝石衬底上生长的孪晶合并[1100]取向GaN域的自调节面内极性
机译:通过MOCVD在r面蓝宝石衬底上生长的非极性a面GaN薄膜的偏振拉曼散射研究
机译:不同生长条件下MBE在A1_2O_3(0001)基体上MBE生长的具有Ga或N面极性的GaN薄膜的材料性能
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:HVPE生长的GaN晶体中的应力对MOCVD-GaN / 6H-SiC衬底的影响
机译:在LiAlO2(001)衬底上生长的非极性m面GaN膜和极化的InGaN / GaN LED
机译:siC衬底上的Ga和N极性GaN生长。
机译:通过消除生长过程中的氮极性小面而在异质衬底上生长的无堆叠缺陷的半极性和非极性GaN
机译:表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
机译:GaN晶体,GaN自支撑衬底,用于GaN晶体生长的籽晶衬底,GaN晶体制造方法和GaN自支撑衬底制造方法
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