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陈伟绩; 秦福文; 吴爱民; 刘胜芳; 杨智慧; 姜辛; 李帅; 董武军;
大连理工大学三束材料改性重点实验室;
GAN; TMGa流量; 化学气相沉积; 玻璃衬底; 低温;
机译:使用岛状GaN缓冲剂在蓝宝石衬底上生长GaN晶体,该GaN缓冲剂是通过重复进行薄层低温沉积和射频等离子体分子束外延退火而形成的
机译:温度对低温沉积在石墨衬底上的GaN膜的影响
机译:通过低温沉积缓冲层在蓝宝石衬底上生长GaN晶体,并通过掺杂镁并进一步用低能电子束辐照获得p型GaN晶体
机译:低温GaN沉积参数对MOVPE在GaAs(001)衬底上生长的立方GaN外延层的结构和光学性能的影响
机译:欧姆金属和氧化物沉积对碳化硅衬底上多层外延石墨烯的结构和电性能的影响。
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:TMGa助熔剂对低温沉积在玻璃基底上Ti上沉积的GaN膜的影响。
机译:低压金属有机化学气相沉积法研究基面蓝宝石和siC衬底上alN和GaN层初始生长的微观结构比较
机译:在蒸发器中分离衬底上的蒸发材料的方法,涉及通过改变真空接收器内的主要压力来影响用于分离衬底上的蒸发材料的沉积速率。
机译:制备具有在GaAs衬底上沉积的GaN外延层的外延晶片的方法
机译:一种影响填充材料的微观结构的方法,该填充材料在衬底上或在至少一个已经施加的附加材料层上的分层激光沉积焊接中和/或避免Randzonenversprödung从而施加附加材料
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