铜薄膜上喷雾热解法制备CuInS_2薄膜

摘要

采用在真空蒸镀的Cu薄膜上喷雾热解InCl3和SC(NH2)2前驱液的方法,制备出CuInS2(CIS)薄膜。通过X射线衍射、紫外-可见分光光度计、扫描电子微镜和霍尔效应测试仪等仪器对薄膜进行了表征。研究表明,该方法制备出的CIS薄膜,表面均匀且无裂纹缺陷,薄膜内不存在CuxS、In2O3、In2S3等杂相。CIS薄膜为黄铜矿结构,可见光范围内吸收系数达到105cm-1。厚度506nm的CIS薄膜的禁带宽度为1.54eV。电阻率和载流子浓度分别达到10-1Ω·cm和1019cm-3,为p型半导体薄膜。