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辛荣生; 林钰; 董林; 苏雷生;
郑州大学材料科学与工程学院;
河南教育学院化学系;
磁控溅射; 氧含量; NTO薄膜; 结构; 光电性能;
机译:Nb掺杂对制备的Bi 4 sub> Ti 3-x sub> Nb x sub> O 12 sub>薄膜的微观结构和性能的影响通过磁控溅射
机译:Nb掺杂对面对靶磁控溅射合成Fe-N薄膜结构,磁性和力学性能的影响
机译:氢气氛中热丝退火对Nb掺杂TiO_2溅射薄膜电学和结构性能的影响
机译:RF磁控溅射制备的Nb掺杂TiO_2薄膜的合成与表征
机译:射频磁控溅射未掺杂镧锰矿薄膜的结构,磁性和表面特性。
机译:低温处理的Sn掺杂In2O3薄膜的电性能:微观结构和氧含量的作用以及缺陷调制掺杂的潜力
机译:掺杂和厚度变化对射频磁控溅射制备的NiO薄膜的结构和感测性能的影响
机译:磁控溅射工艺参数对非晶碳薄膜电性能的影响
机译:尿素制备N掺杂TiO_2和N掺杂TiO_2复合可见光催化剂的方法
机译:用于通过使用原子层沉积方法向氧化物薄膜掺杂卤素的卤素掺杂源,用于制造卤素用于通过使用原子层沉积来对氧化物薄膜进行卤素掺杂的卤素掺杂源的方法,以及通过使用用于掺杂氧化物薄膜的方法制造的掺杂卤素的氧化物薄膜。含卤素
机译:形成掺杂半导体薄膜的方法,掺杂半导体薄膜结构,掺杂硅烷组合物以及制备这种组合物的方法
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