YSZ／Si上溅射BSCCO超导膜中的缺陷分析

摘要

该文报导了在有ＹＳＺ缓冲层覆盖的Ｓｉ衬底上偏靶磁控溅射ＢＳＣＣＯ超导薄膜的工艺条件，给出了利用扫描电子显微镜，高分辨率透射电子显微镜和原子力显微镜对ＢＳＣＣＯ膜中几种缺陷的观察结果，并讨论了为预防和减少缺陷而调整的超导膜的生长条件，提出了ＹＳＺ／Ｓｉ上ＢＳＣＣＯ的分形生长现象。