首页> 中文期刊>变流技术与电力牵引 >IGCT器件制造中的离子注入扩散技术

IGCT器件制造中的离子注入扩散技术

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

概述了电力电子器件中的扩散方法,提出了采用离子注入的试验方案,经试验得到了离子注入扩散的规律.在集成门极换向晶闸管(IGCT)器件的阴极端成功实现了硼、铝双杂质离子注入扩散层的正确分布,从而证实了该方法的可行性.

著录项

来源
《变流技术与电力牵引》|2006年第5期|23-25,45|共4页
作者
张明;
展开▼
作者单位

株洲南车时代电气股份有限公司,电力电子事业部,湖南,株洲,412001;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类掺杂;
关键词
IGCT; 离子注入扩散; 杂质分布图;
入库时间 2023-07-25 22:34:03

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. IGCT器件制造中的阴极梳条成型技术 [J] . 张明 . 变流技术与电力牵引 . 2006,第006期
2. 高速双极器件制造中的离子注入技术 [J] . 范才有 . 微电子学 . 1993,第1期
3. HgCdTe器件中载流子扩散长度的硼离子注入效应研究 [J] . 陈贵宾 ,全知觉 ,王少伟 . 光子学报 . 2007,第4期
4. CoSi2/Si结构中杂质离子注入及自对准硅化物MOS器件技术 [J] . 刘平 ,李炳宗 ,黄维宁 . 应用科学学报 . 1994,第004期
5. IGCT器件的光刻技术 [J] . 戴小平 ,熊红云 . 半导体技术 . 2007,第6期
6. 利用氟基等离子注入对AlGaN/GaN HEMT阈值电压的控制技术：从常开器件到常关器件 [C] . 陈敬 . 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2008
7. 直接的浅沟槽隔离器件CMP技术在集成电路高压器件芯片制造中的应用及性能研究 [A] . 田明 . 2005

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号