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Alexander Craig;
飞兆半导体公司;
MOSFET; 高电压; 应用; 工程师; 开关电路; 技术; 部件;
机译:采用600V类超结MOSFET工艺的高击穿电压(> 1000 V)半超结MOSFET
机译:为合适的应用选择合适的闪存
机译:堆叠式反激转换器允许较低电压MOSFET用于高AC线电压工作
机译:高击穿电压和小型化的结构改进高击穿电压和小型化的结构改进高击穿电压和小型化的结构改进高击穿电压和小型化的结构改进制成垂直2DHG金刚石金刚石MOSFET
机译:具有高击穿电压和低导通电阻的新型沟槽横向功率MOSFET
机译:通过测序进行基因分型以表征作物基因组:为正确的应用选择合适的工具
机译:具有高k栅极电介质的GeOI / GeON MOSFET的二维分析阈值电压模型
机译:使用准分子激光器对金属栅极mOsFET进行阈值电压调谐
机译:具有高漏-体击穿电压(Vb)的横向扩展漏极金属氧化物半导体场效应晶体管(LEDMOSFET),形成LEDMOSFET的方法以及结合有互补的一对LEDMOSFET的硅控整流器(SCR)
机译:具有高漏-体击穿电压(Vb)的横向扩展漏极金属氧化物半导体场效应晶体管(LEDMOSFET),形成LEDMOSFET的方法以及包含LEDMOSFET的互补对的硅控整流器(SCR)
机译:具有低导通电阻和高击穿电压的高功率MOSFET
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