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李国荣; 邹翔达; 王启凡; 王欣; 唐中帜; 周扬杰; 唐电;
福州大学材料科学与工程学院,福建福州 350108;
福州大学材料研究所,福建福州 350216;
福建省冶金研究所,福建福州 350111;
二氧化硅; 二氧化钌; 催化剂; 计算机模拟; 晶体结构; 电子结构; 导电性;
机译:P掺杂SiO_2:Si和Al_2O_3:Si纳米复合材料中Si纳米晶体的电子结构及其与基质的界面研究
机译:SiC / SiO2填料加固EP复合材料,具有优异的非线性导电性和高击穿强度
机译:O空位浓度对V型掺杂锐钛矿型TiO_2电子结构和导电性能的影响
机译:探测掺杂HFO2粉末材料的晶体结构和介电性能
机译:调整杂化掺杂石墨烯和Ag3PO4复合材料的近能隙电子结构界面电荷转移和可见光响应:掺杂剂效应
机译:Fe掺杂对高面部质量负荷的晶体结构,电子结构和超级涂布性能的影响
机译:铌掺杂YBa2Cu3O7相关高(Tc)陶瓷的超导电性和磁性。
机译:在半导体材料区域中产生绝缘包括:形成具有第一导电性的基极掺杂的半导体材料区域;形成材料区域;加热并形成第二导电性的掺杂区域。
机译:导电性高分子材料制备用掺杂剂及导电性高分子材料制备用掺杂剂组合物
机译:IGBT具有第一导电性区域,该区域由两个独立掺杂的区域组成,该区域分别来自第二金属化,该第二金属化包括高掺杂的平坦区域和低掺杂的扩散或外延产生的区域
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