激光蚀刻催生GaAs太赫兹辐射

摘要

当没有更便宜更有效的方法来批量生产太赫兹发射器时，激光蚀刻不失为一个增大砷化镓（GaAS）太赫兹输出的好办法。GaAs是一种常见的用于这些设备的半导体材料。 日本冲绳科学技术研究所（OIST）飞秒光谱部门研究人员表求，GaAs薄膜的表面微观结构对能世吸收和散发起到重要作用。