两个含dmit配体的二核钨簇合物的合成结构表征和电学性质

摘要

cqvip:通过配体取代反应, 以W2S4(dtp)2 (dtp = S2P(OC2H5)2-)为起始物, 将它和(PhCO)2dmit(dmit = )及R4NBr (R = Et, Bu)反应, 首次获得两个二核钨化合物(Bu4N)2W2S4(dmit)2 (I)和(Et4N)2W2S4(dmit)2 (II). 并对这两个化合物进行了红外光谱表征, 测定了化合物(I)的13C NMR谱和晶体结构. 结构分析表明, 在化合物(I)的晶胞堆积中存在S(((S超分子相互作用. 对化合物(II)的变温电导率测定证实化合物(II)具有半导体导电性. 化合物(I)的结晶学参数为: 正交晶系, 空间群Pbcn, 晶胞参数a = 18.048 (5), b = 15.937 (5), c = 19.191 (6) ?, V = 5520 (5) ?3, Z = 4, R = 0.084, Rw = 0.