新型3,4-二烷基取代聚噻吩的合成、光学及电化学性能

摘要

通过Heck偶联法制备了一种新型聚噻吩衍生物——2,5-二乙烯基-3,4-二辛基噻吩-共-2,5-二苯基-1,3,4-(口恶)二唑(PO2TV-OXD),用核磁共振氢谱(1H NMR)及凝胶色谱(GPC)对其结构进行分析和表征.用紫外-可见光谱(UV-Vis)、荧光光谱(PL)及电化学分析研究其光学和电化学性能,并与3,4-二辛基噻吩均聚物(PO2T)进行了对比研究.研究表明:主链上引入吸电子能力较强的1,3,4-(口恶)二唑基团,明显增加了聚合物的能隙,提高了聚合物的荧光量子效率.