掺杂对纳米SnO2晶化及阻温特性的影响

摘要

研究了纯SnO2及掺入5%at的Cu+2,Y+3,Si+4的SnO2纳米微粉晶粒尺寸随温度的变化情况:600℃以前晶粒生长缓慢;600℃以后晶粒长大迅速.掺入Y+3,Si+4可有效地抑制晶粒的长大,900℃退火2 h晶粒尺寸仍小于30 nm.晶粒尺寸下降可使电导温度峰往低温移动,当晶粒尺寸小于5 nm时,电导峰出现在170℃附近,而掺杂可使电导温度峰展宽成平台.掺Si的纳米SnO2材料在200℃时对乙醇有较高的灵敏度和动态响应.