一步法制备的ZnO-硼硅酸铅锌玻璃压敏电阻电性能研究

摘要

以四足状纳米ZnO粉末为原料,以制备硼酸铅锌玻璃的氧化物替代硼酸铅锌玻璃直接进行共烧结,制备出了ZnO-硼硅酸铅锌玻璃压敏电阻,并对其电性能进行了研究.研究结果表明:最佳添加量为13.0 wt%～17.4 wt%.当添加量在13.0 wt%～17.4 wt%时,在900～1 170℃温度范围,烧结温度对压敏电阻的漏电流IL和非线性系数α的影响很小.含13.0 wt%添加剂的样品,其最大非线性系数α和最小漏电流IL分别为38.7和1.7 μA.烧结温度的降低主要源自于纳米ZnO粉末和添加了硼酸铅锌玻璃"形成"氧化物.