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魏榕山; 邓宁; 王民生; 张爽; 陈培毅; 刘理天; 张璟;
清华大学微电子学研究所,北京100084;
英国帝国理工学院Blackett实验室,伦敦英国;
增透膜; 气态源分子束外延; 量子点; 量子点红外探测器; 暗电流密度; 响应度;
机译:无定形Al2O3,Si3N4和SiC基质中非氧化Ge量子点格的制备
机译:W-Si3N4 / TiB2-Si3N4 / p-SiGe热电接头的制造和接触电阻率
机译:与Si3N4波导集成的工作在1310 nm的低压Ge / SiGe多量子阱光调制器的理论研究
机译:利用Macleod软件和FTIR技术设计和测量硅窗上的SiO2和Si3N4长波红外增透膜。
机译:追求量子硬件:Si / SiGe异质结构中的栅极定义量子点的研究
机译:伪基板上的宽带Ge / SiGe量子点光电探测器
机译:Si3N4基陶瓷的摩擦学和断裂行为的研究和建模= Si3N4基陶瓷的摩擦学和断裂行为的研究和建模
机译:si3N4-siO2-Y2O3伪三元体系的相关系和稳定性研究。 (6)热压si3N4的组织,强度和断裂韧性的发展。 (7)用硼化合物烧结siC。 (8)。
机译:在高温下以BCl3为基的刻蚀化学腐蚀对Si3N4具有高选择性的SiO2以及腐蚀对SiO2具有高选择性的金属氧化物
机译:为SiC基陶瓷和Si3N4获得多孔抗氧化保护的步骤。
机译:SIC-SI3N4基粉末的生产
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