过时效阶段Al-Mg-Si-Cu合金的晶间腐蚀再敏化

摘要

采用维氏硬度计和加速腐蚀试验,分别测试Al-1.1Mg-1.2Si-0.9Cu合金(质量分数,％)在220℃时效过程中硬化行为和IGC敏感性.结果表明:合金在过时效阶段能够发生IGC→PC→IGC的腐蚀行为转变,出现所谓的PC→IGC再敏化现象.过时效阶段晶界Q相出现连续→断续→连续的分布特征变化,决定其与无析出区能否构成连续腐蚀微电池,是合金发生IGC→PC→IGC转变的主要原因.利用晶界析出相粗化与长大过程同步进行、先后主导的观点能够合理地解释晶界Q相分布特征和无析出区宽度在过时效阶段的变化规律.