ZrO2基陶瓷的t-m马氏体相变异相界面电子结构

摘要

分析了ZrO2的两种晶体结构(正方与单斜)中的共价键络, 并根据"固体与分子经验电子理论", 在一级近似下计算出了ZrO2陶瓷中t-m马氏体相变后存在位相关系(100)m∥(110)t界面的价电子密度.计算结果表明, t-ZrO2中(110)t晶面上的平均价电子密度为0.003 720 nm-2, m-ZrO2中(100)m晶面上的平均价电子密度为0.003 617 nm-2, 两者相差仅2.77%, 可见ZrO2的马氏体相变后m-ZrO2与t-ZrO2的相界面上的平均价电子密度是连续的, 表明余氏理论和程氏理论对无机非金属材料也是适用的.