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许海龙; 陈孔杰; 陈培崎; 周雄图; 郭太良; 吴朝兴; 张永爱;
福州大学物理与信息工程学院;
中国福建光电信息科学与技术创新实验室;
Micro-LED器件; 氮化镓; 无电学接触; 交流驱动; 光电特性;
机译:退火对铟锡氧氮化物薄膜作为GaN基光电器件的欧姆接触的性能的影响
机译:优化高性能氮化铟镓/氮化镓基薄膜垂直发光二极管的n型触点设计和芯片尺寸
机译:通过使用简单的n型电极图案改善大功率氮化铟镓/氮化镓基垂直发光二极管的性能
机译:具有品质因数的商用硅基氮化镓分立功率器件的性能评估
机译:氮化镓和氮化铟镓基光电器件的生长和制造。
机译:氮化镓等离子增强原子层沉积对氮化镓基高电子迁移率晶体管的氮化铝表面钝化
机译:通过氨热生长研制用于氮化镓基光电器件的经济型天然基材
机译:为下一代电子和光电极器件开发按需非极性和半极性块状氮化镓材料
机译:生产p型氮化镓基化合物半导体的方法,生产氮化镓基化合物半导体发光器件的方法和氮化镓基化合物半导体发光器件
机译:薄型P型氮化镓和铝氮化镓电子阻挡层无氮化镓基发光二极管
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