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杜小娟; 刘晶; 董海亮; 贾志刚; 张爱琴; 梁建; 许并社;
太原理工大学材料科学与工程学院;
航天科工防御技术研究试验中心;
太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室;
太原理工大学轻纺工程学院;
陕西科技大学材料原子·分子科学研究所;
GaN基蓝光激光二极管; 电子阻挡层; AL组分; 光电性能;
机译:电子阻挡层的Mg掺杂浓度对GaN基激光二极管性能的影响
机译:(0001)取向的GaN基发光二极管中的Al_(0.82)In_(0.18)N / GaN超晶格电子阻挡层可降低效率下降
机译:使用阶梯式Al_xGa_(1-x)N电子阻挡层增强InGaN基激光二极管的性能
机译:成分梯度Algan / Algan电子阻挡层对Ingan激光二极管光电性能的影响
机译:稀土金属添加对Al-Cu和Al-Si-Cu基合金性能的影响=加入稀有金属对Al-Cu和Al-Si-Cu合金性能的影响
机译:GaN / AlGaN /溅射AlN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响
机译:提高具有双电子阻挡层的蓝色GaN基发光二极管的性能
机译:具有/不具有al(0.2)Ga(0.8)阻挡层的高性能Inas / Gaas量子点红外光电探测器。
机译:在氮化物基发光二极管中使用(Al,In,Ga)N / Al(x)In(1-x)N超晶格电子阻挡层降低效率下降的方法
机译:不包含AlGaN电子阻挡层的氮化镓基发光二极管为p型GaN,且薄
机译:掺杂有Ho 3 + Sup>,Sm 3 + Sup>,Eu 之一的激光介质的激光二极管激励激光装置,光纤激光装置和光纤激光放大器GaN基复合激光二极管激发3 + Sup>,Dy 3 + Sup>,Er 3 + Sup>和Tb 3 + Sup>
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