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张权生; 刘峰奇; 郭长志; 陈水莲;
无;
机译:中红外应变补偿InAlAs / InGaAs / InP量子级联激光器在波导中的场分布
机译:中断时间对MOCVD生长的量子级联激光器结构的InGaAs / InAlAs超晶格的影响
机译:金属有机化学气相沉积法优化InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的生长条件
机译:高功率太赫兹量子级联激光器的低有效电子质量InGaAs / InAlAs
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:优化IN0.52AL0.48AS的MBE生长条件为INGAAS / INALAS / INP量子级联激光器的波导层
机译:用于ULp应用的Inp / InGaas HBT和Inalas / InGaas HBT的比较
机译:InP衬底上的InAlAs / InGaAs两周期超晶格
机译:半导体金属纳米结构INALAS / INGAAS METAC变态缓冲
机译:半导体变质纳米结构InAlAs / InGaAs
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