Au对GaP接触界面形成及其特性

摘要

借助Ｘ射线衍射和扫描电子显微镜研究了Ａｕ和ＧａＰ接触体系界面特性的温度依赖性。测量表明，既使在低于４００℃温度下界面反应也会生成少量的Ａｕ－ＧａＰ金属间化合物，它的主要成份是（ＧａＡｕ）Ｈ，Ｇａ２Ａｕ，在较高温度５５０℃合金条件下界面反应生成少量的ＧａＰ化合物表面发生分解，界面反应增增并伴随着快速的原子间互扩散，大量Ｇａ原子向外迁移进入Ａｕ膜复盖层。同时，Ａｕ原子也内扩散进入ＧａＰ表面，Ａｕ－ＧＡ