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非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性

     

摘要

非对称双量子阱中载流子动力学过程的温度依赖性研究,对于实现室温下高效的量子阱光电器件有着非常重要的意义.随着温度的升高,量子阱中的载流子被热激发到势垒层中后,部分载流子会被量子阱再俘获,即在不同的量子阱之间发生了载流子的耦合.利用耦合多量子阱载流子动力学模型,模拟了非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性.研究表明,在不同温度下,各量子阱的光致荧光强度比强烈地依赖于量子阱的激活能差.光致荧光强度比的最大值与激活能差成指数关系,而其所对应的温度与激活能差成线性关系.

著录项

  • 来源
    《发光学报》|2005年第6期|753-756|共4页
  • 作者单位

    南开大学,弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室;

    信息光子材料与技术重点实验室;

    泰达应用物理学院,天津,300457;

    南开大学,弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室;

    信息光子材料与技术重点实验室;

    泰达应用物理学院,天津,300457;

    南开大学,弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室;

    信息光子材料与技术重点实验室;

    泰达应用物理学院,天津,300457;

    南开大学,弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室;

    信息光子材料与技术重点实验室;

    泰达应用物理学院,天津,300457;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 发光学;
  • 关键词

    非对称双量子阱; 光致荧光强度比; 热逃逸; 再俘获;

  • 入库时间 2022-08-18 01:48:46

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