CdSe/ZnSe复合结构非对称量子阱的发光特性

摘要

利用MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了非对称量子阱结构CdSe/ZnSe材料,通过对其稳态变温光谱及变激发功率光谱,研究了其发光特性.稳态光谱表明:在82～141K时,观测到的两个发光峰来源于不同阱层厚度的量子阱激子发光,用对比实验验证了高能侧发光的来源.宽阱发光强度先增加后减小,将其归结为激子隧穿与激子热离化相互竞争的结果.通过Arrhenius拟合,对宽阱激子热激活能进行了计算.82K时变激发功率PL光谱表明:由于激子隧穿的存在,使得窄阱发光峰位不随激发功率变化而变化,宽阱发光峰位随激发功率增加发生了蓝移,并对激子隧穿进行了实验验证.