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叶康; 叶志镇; 胡少华; 赵炳辉; 何海平; 朱丽萍;
浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027;
ZnMgO薄膜; Ga-N共掺杂; 磁控溅射; 衬底;
机译:Al-N共掺杂p型ZnMgO薄膜在不同衬底上的生长
机译:衬底温度和衬底类型对喷雾热解制备Sb_2S_3薄膜物理性能的影响
机译:衬底温度对Al和PEG共掺杂SnO_2薄膜的电和气敏性能的影响
机译:V,N共掺杂ZnO缓冲层引入对c面蓝宝石衬底上ZnO薄膜生长的影响
机译:氮和碳共掺杂的纳米结构TiO2薄膜:合成,结构表征和光电性能。
机译:衬底温度和氧分压对脉冲激光沉积生长纳米晶铜氧化物薄膜性能的影响
机译:衬底温度对Ga和N共掺杂ZnO薄膜光电化学响应的影响
机译:衬底温度和氢稀释比对热线化学气相沉积法生长纳米硅薄膜性能的影响
机译:制造基于ZnMgOS的薄膜的方法和涂有ZnMgOS的薄膜的方法,以及制造基于ZnMgOS的包含薄膜的物体的方法
机译:去除N型ZnO或ZnMgO衬底中残余杂质的方法,用于该衬底的P型掺杂
机译:将非本征处理在由n型zno或znmgo制成的衬底中,并对该衬底进行p型掺杂。
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