埃洛石基离子印迹材料的制备及其镉离子传感性能

摘要

cqvip:用表面印迹聚合法制备了埃洛石纳米管(HNTs)基超支化镉离子印迹传感材料HNTs@IIPs。用傅立叶变换红外光谱(FTIR)、XRD、SEM、核磁及热重等方法表征材料的结构;利用循环伏安法(cyclic voltammetry,CV)、差分脉冲伏安法(differential pulse voltammetry,DPV)及交流阻抗法(electrochemical impedance spectroscopy,EIS)等考察了HNTs@ⅡPs的电化学性能及其对镉离子的特异性传感性能。结果表明成功合成了HNTs@ⅡPs,且在cCd^2+≤0.125μmol·L^-1时,感应峰电流与镉离子浓度有良好的定量关系,检出限为0.026μmol·L^-1,印迹因子α为5.97,选择因子β为4.97,表明HNTs@ⅡPs对Cd^2+具有专一性和强选择性。对阻抗谱分析结果拟合得到了传感器的电学等效电路模型,并分析阐明了传感机理。