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纳米晶SnO2粉体的合成

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纯SnO2为禁带宽度达3．8eV的宽带n．型半导体，当形成氧空位后在禁带内形成ED=0．15eV的施主能级，向导带提供1015～1018cm-3浓度的电子。SnO2是至今应用最广泛的气敏材料，其突出的优点是化学稳定性好，气体灵敏度高，气体选择性可通过掺杂其他元素来实现。SnO2的气敏特性主要

著录项

来源
《无机化学学报》|2003年第6期|641-644|共4页
作者
张建荣; 高濂;
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作者单位

中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050;

中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类氧化物、过氧化物;锡Sn;无机质材料;
关键词
纳米粉体 SnO2 合成;
入库时间 2022-08-18 08:11:16

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