焙烧温度对In2TiO5纳米带晶型结构及光催化性能的影响

摘要

以Ti(OC4H9)4、In(NO3)3和聚乙烯吡咯烷酮(PVP-K30)为原料,采用静电纺丝技术制备了In2TiO5纳米带.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)和N2吸附-脱附等技术对不同焙烧温度处理得到的样品进行表征,详细研究了焙烧温度对In2TiO5纳米带晶粒尺寸、形貌、比表面积和孔径的影响.以20 mg· L-1的氟喹诺酮类抗生素左氧氟沙星(LEV)为目标降解物,125 W高压汞灯为光源,评价了不同焙烧温度下In2TiO5纳米带的光催化活性.结果表明,焙烧温度对In2TiO5的形貌与光催化活性有明显影响.当焙烧温度为800℃时,制备的In2TiO5纳米带表面光滑,其宽度为(552±58) nm、厚度约为140 nm,光催化活性最强,光照60 min,LEV的降解率可以达到95％.