PHEMT材料MBE生长及其应用

邱凯; 尹志军; 谢自力; 方小华; 王向武; 将朝晖; 陈建炉

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PHEMT材料MBE生长及其应用

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我们对PHEMT材料中应变沟道InGaAs层生长条件进行了优化,并采用了LT-GaAs中缺陷扩散的阻挡层.功率PHEMT器件结果为在栅长Lg=1.0μ时,跨导g-m≥400 ms/mm,BV-{DS}>1 5V,BV-{GS}>10V表明该材料有较好的性能.作为材料的缓冲层,结果表明器件性能优良 ,是国内最好结果.

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来源
《电子器件》 |2001年第3期|174-177|共4页
作者
邱凯; 尹志军; 谢自力; 方小华; 王向武; 将朝晖; 陈建炉;
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作者单位

南京电子器件研究所;

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正文语种 chi
中图分类干法腐蚀工艺;
关键词
分子束外延; 赝配高电子迁移率晶体管; 低温砷化镓;

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