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陈德英; 蔡振波; 姜岩峰; 张旭; 王成; 樊路嘉;
MEMS重点实验室,东南大学,南京,210096;
航天部五院;
信息部第55研究所;
辐射敏感; PMOS; 阈值电压漂移;
机译:体积偏置控制下堆叠式PMOS剂量计的电气性能和辐射敏感性
机译:PMOS剂量计辐射敏感性的发展
机译:在pmonidazole未标记的瘤内静态细胞中辐射敏感性和从辐射诱导的损伤中恢复的能力取决于p53状态
机译:SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
机译:验证修订后的患者安全措施:PMOS-30和PMOS-10
机译:伽玛辐射效果测试的要求:28A003A(REV 0)PMOS电源开关(环境 - 动态)28A004A(REV 0)PMOS电源开关(LN $ SUB 2 $dynamic Test 28a003b(Rev 0)PMOS NOR GATE(环境动态)测试28A004B(REV 0)PMOS NOR GATE(LN $ SUB 2 $ -dynamic)
机译:在极端温度下操作sOI p沟道场效应晶体管CHT-pmOs30
机译:辐射敏感记录材料的研制方法
机译:对辐射敏感的组合物,辐射敏感元素,在对辐射敏感的元素上形成图像的过程,该元素被转换为图像。对辐射敏感的元素的生产过程以及对辐射敏感的组合物的使用
机译:光化射线敏感或辐射敏感组合物,一种用于纯化光化射线敏感或辐射敏感组合物的方法,一种用于制造光化敏感或辐射敏感组合物的方法,一种形成图案的方法,以及制造电子设备的方法
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