高温SOI CMOS 倒相器瞬态特性的研究

摘要

本文主要研究高温SOI CMOS倒相器在(27～300℃)宽温区的瞬态特性.研究结果表明:当采用N+PN++和P+PP++结构薄膜SOI MOSFET组合,并且其结构参数满足高温应用的要求,则SOI CMOS倒相器实验样品在(27～300℃)具有良好的高温瞬态特性.