硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展

王彩琳; 高勇; 张新

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硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展

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综述了硅直接键合(SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)及MOS控制可关断晶闸管(MTO)等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路.在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管(IGCT)和集成门极双晶体管(IGDT)的设想,并给出了相应的工艺方案.

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来源
《电子器件》|2005年第4期|945-948957|共5页
作者
王彩琳; 高勇; 张新;
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作者单位

西安理工大学电子工程系,西安,710048;

西安理工大学电子工程系,西安,710048;

西安理工大学电子工程系,西安,710048;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶闸管（可控硅）;
关键词
硅直接键合; 电力电子器件; 集成门极换流晶闸管; 集成门极双晶体管; MOS控制可关断晶闸管;
入库时间 2022-08-18 02:52:33

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