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用于测辐射热计热敏材料的多晶锗硅薄膜的研究

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摘要

根据测辐射热计对热敏感材料的要求,采用超高真空化学气相淀积(UHVCVD)法制备出多晶Si0.7 Ge0.3薄膜,研究了B离子注入剂量、退火工艺与电导率和电阻温度特性的相关性,因此确定出了最佳的工艺条件,并利用其制备出了探测率高达3.75×108 cmHz1/2·W-1的测辐射热计.

著录项

来源
《电子器件》|2006年第4期|1000-1003|共4页
作者
岳瑞峰; 董良; 刘理天;
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作者单位

清华大学微电子学研究所,北京,100084;

清华大学微电子学研究所,北京,100084;

清华大学微电子学研究所,北京,100084;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的性质;
关键词
多晶锗硅薄膜; 测辐射热计; UHVCVD; 热敏材料;
入库时间 2022-08-18 02:52:29

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