砷化镓半导体表面自然氧化层的X射线光电子能谱分析

摘要

用X射线光电子能谱(XPS),测量了Ga3d和As3d光电子峰的结合能值,指认了砷化镓(GaAs)晶片表面的氧化物组成,计算了表面氧化层的厚度,定量分析了表面的化学组成;比较了几种不同的砷化镓晶片表面的差异.结果表明:砷化镓表面的自然氧化层主要由Ga2O3、As2O5、As2O3和单质As组成,表面镓砷比明显偏离理想的化学计量比,而且,氧化层的厚度随镓砷比的增大而增加;溶液处理后,砷化镓表面得到了改善.讨论了可能的机理.