多壁碳纳米管修饰电极-不可逆双安培法测定双嘧达莫

摘要

在玻碳电极上成功地制备了多壁碳纳米管修饰电极(MWCNTs/GCE-CME).研究了双嘧达莫(DPD)在该修饰电极上的电化学行为.基于表面活性效应,得知十二烷基磺酸钠(SDS)可提高DPD在MWCNTs/GCE-CME的氧化电流,修饰电极对其具有明显的增敏作用,并对存在的机理作了探讨.在SDS介质存在下,通过DPD在MWCNTs/GCE-CME上的氧化和高锰酸钾在另一电极上的还原构建不可逆双安培检测体系,建立直接测定DPD的新方法.在0.05 mol/L H2SO4介质中,DPD氧化峰电流与其浓度在1.5×10-6～1.0×10-3 mol/L范围内呈线性关系(r=0.9950, n=16); 线性回归方程为i(nA)= 2.37×106C-450;方法检出限为8.0×10-7 mol/L;电流值RSD为1.8%;进样频率为80样/h.本方法具有较高的选择性和灵敏度, 样品处理方法简单快速,适合于实时在线分析.修饰电极易于制作,具有良好的稳定性和重现性及抗干扰性能,对DPD片剂测定结果满意.