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罗志云; 江若琏; 郑有炓; 臧岚; 朱顺明; 程雪梅; 刘夏冰;
南京大学物理系,南京,210093;
能隙梯度; 光电响应度; 离化; 耗尽层;
机译:Si / Si1-xGex / Si异质结双极晶体管对基极电阻的高影响掺杂和带隙变窄的研究
机译:富硅n型和p型Si1-xGex中掺杂引起的带隙变窄
机译:Si1-xGex远红外(太赫兹)量子阱红外光电探测器(QWIP)的p型和设计方法的优势
机译:Si / Si1-Xgex和Si / Si1-Xgex / Si异质结构横截面样品中薄箔弛豫的CBED和FE研究
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:宽带隙氧化物衬底对通过连续离子层吸附和反应(SILAR)法生长的CdS纳米粒子的光电化学性质和结构无序的影响
机译:Si / Si1-xGex和Si / Si1-x-yGexCy异质结中带隙的测量
机译:si / si1-xGex多量子阱光电探测器线性吸收系数的理论模型
机译:Si1-xgex多晶层或多晶Si1-xgex / si stapelschicht的蚀刻方法,并用于制造电子订单
机译:蚀刻多晶体Si1-xGex层或多晶体Si1-xGex和Si的堆叠层的方法及其在电子器件中的应用
机译:蚀刻多晶Si1-xgex层或多晶si1-xgex层和多晶si层的叠层的方法及其在微电子学中的应用
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