热场分布与CZSi单晶中氧含量关系的研究

摘要

氧是CZSi单晶中主要的非故意掺入杂质.晶体生长时氧来源于熔解的坩埚,通过熔体热对流向晶体和熔体自由表面输运.热场分布一方面影响坩埚的溶解度,另一方面通过影响熔体的热对流,来影响熔/埚边界层的厚度,影响氧的含量.为了研究大直径硅单晶生长过程氧的引入,采用不同的热场进行实验,得到了适于大直径(150 mm)晶体生长的不同的热场温度分布及其氧浓度,并对结果进行了理论分析,得出熔体的纵向温度梯度下降,热对流减小,边界层厚度增大,导致硅单晶中氧含量降低.