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吴志国; 付超;
河北普兴电子科技股份有限公司;
硅; 肖特基; 外表面;
机译:氧吸附对Ag(111)外延硅表面状态的影响
机译:缺陷分布对由H_2O_2处理的无意掺杂n型ZnO外延层形成的Au / ZnO肖特基接触的输运性能的影响
机译:快速热退火对Se型肖特基接触n型硅的电和结构性能的影响
机译:表面状态对Cr,p型硅MIS太阳能电池开路电压的影响
机译:n型4H碳化硅的不均匀性及其对肖特基接触电特性的影响。
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机译:生产工程测量Da-36-039-sC-86727硅平面外延晶体管型2N2193硅生长扩散型2N336
机译:双极晶体管包括用于高频操作的硅层,第一类型的硅外延层,硅锗外延层和第二类型的硅外延层
机译:用于数字照相机的互补金属氧化物半导体图像传感器,采用选择性外延生长工艺,在P型衬底的N型杂质离子区域上具有硅外延层
机译:单晶硅的制造方法,单晶硅,硅晶片的制造方法,硅外延晶片的制造方法,以及硅外延晶片
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