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柴駪; 安兵;
华中科技大学材料学院,武汉430074;
倒装芯片; 电流密度; 蠕变; 电迁移; 界面化学;
机译:AI / Ni(V)/ Cu凸点下金属化时的倒装芯片Sn-3.0Ag-(0.5或1.5)Cu凸点的元素再分布和界面反应机理
机译:凸点金属化和SnPb倒装芯片凸点下锡/镍之间的锡诱导铜扩散和金属间化合物形成
机译:倒装芯片工艺中具有Ni / Cu凸点下金属化的Sn-Pb焊料凸点的界面反应机理
机译:随着局部温度控制等多大电流密度下倒装芯片焊点UBM消耗的研究
机译:使用数字图像关联和光学显微镜对倒装芯片焊料凸点进行应变测量
机译:使用超声波传感器检查倒装芯片焊锡凸点的缺陷
机译:凸点金属化和SnPb倒装芯片凸点下镍/铜之间的锡基铜扩散和金属间化合物形成
机译:在aRL上使用铟凸点技术的倒装芯片杂交
机译:焊锡凸点,用于更高密度的倒装芯片焊接
机译:带有下凸点金属化叠层的倒装芯片电源开关
机译:倒装芯片凸点下金属化的蚀刻剂
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