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ZnO纳米材料制备及其应用研究进展

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摘要

ZnO是一种直接宽带隙半导体材料，带隙约为3．35eV。近几年来，纳米结构ZnO材料引起了人们的广泛兴趣。它作为发光材料、太阳能电池窗口材料，以及在其他电子器件领域有着广阔应用前景。本文简要综述了ZnO纳米材料的制备方法、结构特征、及应用前景.

著录项

来源
《中国材料科技与设备》 |2006年第4期|1-4|共4页
作者
张兰; 马会中; 张兵临;
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作者单位

郑州大学工程力学系,河南郑州450002;

郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,河南郑州450002;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类材料;
关键词
ZnO; 纳米结构; 纳米器件; 荧光光谱;

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