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孙超群; 屈少华; 王今朝; 章天金;
湖北文理学院物理与电子工程学院,湖北襄阳441000;
磁控溅射; 退火气氛; 电学性能;
机译:压力对N_2 / H_2气氛中退火的AZO薄膜的结构和电性能的影响
机译:退火气氛对掺石墨烯的可直接图案化ZnO薄膜电学性能的影响
机译:Al_2O_3缓冲层和退火对AZO薄膜结构和光电性能的影响
机译:H_2气氛中的退火对CdS薄膜电学性能的影响
机译:晶体结构和界面形成对纳米粒子印刷薄膜电学性能的影响。
机译:退火气氛对Ga2O3 / 4H-SiC n-n异质结二极管特性的影响
机译:气体退火对硫钝化Al2O3 / In0.53Ga0.47As(110)金属氧化物半导体电容器电学性能的影响
机译:离子注入砷化镓的可控气氛退火。
机译:金属氧氮化物薄膜的制造方法,其包括在含氮气氛中对金属氧化物膜进行第一次退火以形成金属氧氮化物膜,并在氧化气氛中对金属氧氮化物膜进行第二次退火。
机译:在金属或金属合金的退火或冷却过程中将保护气氛或还原气氛再生到退火室内部的方法和装置
机译:通过在氧气氛下快速退火钨接触塞并在氢气氛下还原RTO塞来制造半导体器件的方法
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