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提拉法生长超宽禁带半导体β-Ga2O3单晶的研究

     
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摘要

采用提拉法生长得到了新型超宽禁带透明半导体材料β-Ga2O3单晶,对其进行了物相分析和结晶质量的表征.XRD测试结果显示所获得的晶体为单一β相,晶体摇摆曲线半峰宽为3.48,峰形对称,表明具有较高的结晶质量.测试了晶体的透过光谱和荧光光谱,外推法得到晶体的禁带宽度为4.78 eV.

著录项

  • 来源
    《中国照明电器》|2017年第10期|10-12|共3页
  • 作者

    赵绪尧; 孙敦陆; 张会丽; 方忠庆; 权聪; 程毛杰;

  • 作者单位

    中国科学院安徽光学精密机械研究所,安徽省光子器件与材料重点实验室,安徽合肥230031;

    中国科学技术大学,安徽合肥230026;

    中国科学院安徽光学精密机械研究所,安徽省光子器件与材料重点实验室,安徽合肥230031;

    中国科学院安徽光学精密机械研究所,安徽省光子器件与材料重点实验室,安徽合肥230031;

    中国科学技术大学,安徽合肥230026;

    中国科学院安徽光学精密机械研究所,安徽省光子器件与材料重点实验室,安徽合肥230031;

    中国科学技术大学,安徽合肥230026;

    中国科学院安徽光学精密机械研究所,安徽省光子器件与材料重点实验室,安徽合肥230031;

    中国科学技术大学,安徽合肥230026;

    中国科学院安徽光学精密机械研究所,安徽省光子器件与材料重点实验室,安徽合肥230031;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 提拉法;
  • 关键词

    β-Ga2O3单晶; 提拉法; 宽禁带半导体;

  • 入库时间 2023-07-25 19:30:09

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