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纳米技术; 闪存芯片; NAND; 英特尔; 闪存技术; 大批量生产; 生产工艺; 预计;
机译:英特尔-美光创投将NAND工艺范围推至25 nm
机译:英特尔和美光展示3D XPoint作为NAND闪存的替代品
机译:●取消英特尔与美光3D-NAND的联合开发
机译:25纳米64Gb 130mm2; 3bpc NAND闪存
机译:使用NAND闪存的硬件安全原语
机译:CMOS兼容的铁电NAND闪存用于高密度低功耗和高速三维内存
机译:25nm NAND闪存中总电离剂量响应的统计分析
机译:评估3D NaND闪存的辐射敏感性。
机译:NAND闪存芯片的访问方法及相应的NAND闪存芯片
机译:在具有双芯片的终端中管理NAND闪存的方法,特别是用于管理在使用NAND闪存的情况下在访问内存时可能产生的错误
机译:基于NAND的NMOS NOR闪存单元,基于NAND的NMOS NOR闪存阵列以及形成基于NAND的NMOS NOR闪存阵列的方法
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