一种改进的超低压电压基准源设计

游剑; 刘永根; 罗萍; 张波; 李肇基

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一种改进的超低压电压基准源设计

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本文利用NMOS管与PMOS管栅源电压的温度特性及衬底偏置效应,设计了一种带曲率补偿输出电压约为233mV的电压基准源.该电路结构简单,电源抑制特性较好,并与传统带隙基准电压的温度特性相似.利用0.5-CMOS工艺对电路进行仿真,仿真结果表明:电源电压为1V时,在-40℃至125℃温度范围内,基准源的温度系数约为11ppm/℃;在100Hz和10MHz时电源抑制比分别为-58.6dB和-40dB.

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来源
《中国集成电路》 |2007年第6期|24-27,23|共5页
作者
游剑; 刘永根; 罗萍; 张波; 李肇基;
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作者单位

电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室;

电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室;

电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室;

电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室;

电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
电压基准; 衬底电压; 阈值电压; 曲率补偿;

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