电压基准

摘要： 本文采用130 nm MOS工艺,设计了一种简单的CMOS电压基准源。利用基准电流源结构,产生PTAT电流,再通过电流镜技术将此PTAT电流转移到一个以二极管方式连接、工作于亚阈值区状态的NMOS管,在栅源之间得到对温度不敏感的电压V_(GS)。经过Spectre仿真后,在电源电压为2.2 V至2.5 V电压范围内,本文电路均可正常工作;在-40°C~+155°C范围内,基准电压温度系数可低至12.0×10^(-6)/°C;当供电电压为2.3 V时,整个电路的静态功耗和输出电压分别为50μW和561.5 mV;在10 KHz以内,电源抑制比PSRR的值均小于-53.8 dB,在1 MHz处,电源抑制比PSRR为-44.7 dB。该电路中只包含CMOS管和一个电阻,没有使用电容、三极管等器件,简单稳定,可应用于各种便携式电子设备。

摘要： 用于更大工作温度范围的汽车和工业应用的电压基准IC需要低漂移、高可靠性和高性能。Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出一款高精度电压基准(Vref) IC,以高性价比满足这些需求。新款MCP1502是一款通过AEC-Q100 1级(-40°C至+125°C环境工作温度范围)汽车认证的Vref,最大温度系数为7ppm/°C。

摘要： 介绍了一种新型电压基准电路,通过引入高阶温度补偿和电源预调整结构,提高了基准电压精度.电路采用BCD工艺仿真,在-20~125°C温度范围内,输出电压的温度系数为1.4 ppm/°C;3 V到40 V的范围内,电源电压引起的基准电压变化率为0.00066%.本文设计的电压基准电路特别适用于宽电源电压输入,且对精度要求高的应用.

摘要： A band gap reference circuit with current drive capability is designed. Proposed circuit is composed with band gap reference and voltage-followed circuit. This structure could achieve the current drive capability under the condition of reference voltage. The circuit structure includes start-up circuit, voltage reference and operational amplifier structure. The negative feedbackstructure greatly reduces the area of layout drawing. The circuit is designed, simulated and mapped under cadence 18 GPDK process conditions. The overall circuit layout area is about 0.0020 mm2.The results show that the voltage reference output of 1.14 V, the temperature coefficient is 0.6 m V/°C, maximum output current is 01 m A, the linear regulation is 9.1μV/V, the operating current is 43μA.%设计了一款带电流驱动能力的带隙基准电路.整体电路由带隙基准电路及电压跟随器电路两个模块组成, 从而保证了在基准电压的条件下同时具备了电流驱动的能力.电路结构包含启动电路、电压基准以及运放结构, 整体设计采用负反馈结构大大减小了版图绘制的面积.总体电路版图面积约为0.0020mm2.电路在CSMC 0.18um工艺条件下进行设计、仿真和版图绘制, 结果表明, 该电压基准输出电压为1.14V, 输出驱动电流最大为0.1m A, 温度系数为0.6mV/°C, 线性调整率为9.1μV/V, 工作电流为43μA.

摘要： 锂电池作为手机的电源被广泛应用,但因其能量体积比较大,易发生安全事故,因而需要与其相适应的保护电路,以保证电池和用电设备的安全.本文详细介绍了锂电池保护电路的设计过程.根据锂电池在充放电过程中产生的电压变化,通过MOS管构成的电路的工作原理和性质,设计的一种锂电池保护电路,该电路集过压充电保护、过压放电保护、过流保护于一身,可以实现过压保护精度控制在0.025V左右.

摘要： 设计了一款输出可调的三端稳压电路.该电路可应用于传感器、电源管理等需要较高精度电压标准的领域.文中选取2.5V和5V作为输出基准电压,对其进行0～40V的电源扫描和0～70°C的温度扫描,输出基准电压变化低于0.28 V.

摘要： 分析几种典型的线性恒流电路的构成及特性,详述线性恒流电路的设计方法,在具体应用电路中给出一些设计示例,以图文相配。

摘要： 本文介绍一款精准的低噪声、低漂移稳压器LT6658,其是一款兼具基准的准确度指标和线性稳压器的性能稳压器.

摘要： 传统的DAC为电流输出型DAC,逐步发展为电压输出型DAC;提供基准电压的电流输出型DAC;带电压基准的电压输出型DAC;高速DAC.本文设计实现的带电压基准的电压输出型高速8位DAC,其基准电压为2.56V,电压输出建立时间(-55°C～125°C)高达950nS.

摘要： 利用超导体约瑟夫森效应监视电压实物基准,是通过不变的基本物理常数电子电荷e和普朗克常数h,把电压值和微波频率联系起来,保证电压基准时间上和空间上的恒定性.

摘要： 用于电压基准的约瑟夫森结量子器件基本特性的测量可用来检测器件的电学参数是否达标,并且对约瑟夫森结的制作工艺提供合理的指导。设计了用于低温精密测量的约瑟夫森结特性测试平台,可以测量约瑟夫森结电阻随温度的变化规律,约瑟夫森结材料的超导转变温度以及约瑟夫森结的超导隧穿电流等电学特性。这些特性基本涵盖了约瑟夫森结的重要电学参数。测试平台包括锁相放大器,示波器,温度测控仪、计算机labview测控系统。利用测试平台测试了约瑟夫森结基本特性,达到了预期的要求。

摘要： 本文对数据采集系统的内装式自校准模板的设计、开发进行了研究.自校准模板采用ARM9和高速、高准确度DAC发生动态校准信号，高稳定度电压基准发生静态校准信号.模板上的高精密12档衰减器实现了对信号幅值的设置，可程控8档截频滤波器根据动态校准信号的频率对DAC产生的动态模拟信号进行滤波.论述了自校准模板静态电压基准电路、衰减器及数模转换电路的设计.采用ARM9和C语言开发了完善的通信模块、参数设置模块、功能实现模块及上位机与模板的通信协议模块等.通过设计、制作和调试，实现了幅值满度为+10V及频率为100kHz动态校准信号的发生.

摘要： 本文中的电路采用共源共栅结构作为负载结构,设计并实现了一个高性能的CMOS带隙电流源.此电路基于Charlerd COMS 0.35混合信号模型的仿真结果表明电路的输出电流在0°C-80°C的温度范围内温度系数为9.792ppm/°C.此电路版图已提交ChartcrdCOMS0.35流片.

摘要： 本文中的电路采用共源共栅结构作为负载结构,设计并实现了一个高性能的CMOS带隙电流源.此电路基于Charlerd COMS 0.35混合信号模型的仿真结果表明电路的输出电流在0°C-80°C的温度范围内温度系数为9.792ppm/°C.此电路版图已提交ChartcrdCOMS0.35流片.

摘要： 本文中的电路采用共源共栅结构作为负载结构,设计并实现了一个高性能的CMOS带隙电流源.此电路基于Charlerd COMS 0.35混合信号模型的仿真结果表明电路的输出电流在0°C-80°C的温度范围内温度系数为9.792ppm/°C.此电路版图已提交ChartcrdCOMS0.35流片.

摘要： 本文中的电路采用共源共栅结构作为负载结构,设计并实现了一个高性能的CMOS带隙电流源.此电路基于Charlerd COMS 0.35混合信号模型的仿真结果表明电路的输出电流在0°C-80°C的温度范围内温度系数为9.792ppm/°C.此电路版图已提交ChartcrdCOMS0.35流片.

摘要： 随着芯片的集成度越来越高,在以SoC为发展趋势的集成电路设计中,如何实现上电复位电路的片内集成将成为保证系统芯片正常复位的关键问题.文章首先介绍了一种普遍使用的简单上电复位电路,在分析了其性能优点和缺点的基础上提出了一种新的基于比较器结构的上电复位电路.在分别对两个电路的功能和性能做出仿真后,给出了真实可靠的数据,事实证明新型上电复位电路在性能及可靠性方面远远优于简单上电复位电路.两种电路均采用SMIC0.35umCMOS工艺进行设计和仿真,其中新型上电复位电路已经嵌入在一款通用的8位微控制器芯片中,并且流片成功.

摘要： 随着芯片的集成度越来越高,在以SoC为发展趋势的集成电路设计中,如何实现上电复位电路的片内集成将成为保证系统芯片正常复位的关键问题.文章首先介绍了一种普遍使用的简单上电复位电路,在分析了其性能优点和缺点的基础上提出了一种新的基于比较器结构的上电复位电路.在分别对两个电路的功能和性能做出仿真后,给出了真实可靠的数据,事实证明新型上电复位电路在性能及可靠性方面远远优于简单上电复位电路.两种电路均采用SMIC0.35umCMOS工艺进行设计和仿真,其中新型上电复位电路已经嵌入在一款通用的8位微控制器芯片中,并且流片成功.

摘要： 本发明揭示了一种基于带隙基准电压的检测电路及带隙基准电压电路，所述检测电路包括：第二MOS管，与带隙基准电压产生电路中电源电压VDD和带隙基准电压VBG之间的第一MOS管构成第一电流镜，用于复制第一MOS管中的电流；第一检测电阻，与所述第二MOS管串联设置；第三MOS管及第四MOS管，所述第三MOS管与第二MOS管并联设置，且第三MOS管和第四MOS管构成第二电流镜；第二检测电阻，与所述第四MOS管串联设置。本发明通过检测电路的设置，带隙基准电压电路中无需引入参考电压即可判断带隙基准电压是否输出正确，在带隙基准电压VBG输出正确后输出高电平的逻辑电平信号BG_OK，能够适用于低电源电压的情况。

摘要： 本发明公开一种亚阈值基准电压源电路、电路板及基准电压源，其中亚阈值基准电压源电路，包括温度正反馈模块、偏置电压模块、镜像电流模块和温度负反馈模块，温度正反馈模块包括处于亚阈区的MOS管；偏置电压模块用于对温度正反馈模块提供偏置电压，偏置电压模块与温度正反馈模块连接；镜像电流模块用于将处于亚阈区的MOS管的电流进行镜像处理，镜像电流模块与温度正反馈模块连接，镜像电流模块与偏置电压模块连接；温度负反馈模块用于产生负温度系数的电压，温度负反馈模块与镜像电流模块连接；镜像电流模块与温度负反馈模块的连接点为亚阈值基准电压源电路的输出端。该亚阈值基准电压源电路具有功耗低的优点。

摘要： 本发明提供一种带隙基准电压电路及带隙基准电压的补偿方法，所述带隙基准电压电路包括：一阶温度补偿带隙基准单元，输出具有一阶温度补偿的带隙基准电压；二阶温度补偿单元，接一阶温度补偿带隙基准单元，向一阶温度补偿带隙基准单元输出具有二阶正温度系数的补偿电流，对带隙基准电压进行二阶温度补偿。本发明通过一阶温度补偿带隙基准单元产生具有一阶温度补偿的带隙基准电压，通过二阶温度补偿单元产生具有二阶正温度系数的补偿电流，再把具有二阶正温度系数的补偿电流作用到带隙基准电压上，有效实现了输出带隙基准电压的二阶温度补偿。

摘要： 本发明公开了一种带隙基准电压源的调整电路、方法及带隙基准电压源，其中带隙基准电压源的调整电路包括第一电压调整单元和第二电压调整单元，第一电压调整单元对应差分放大器的正输入端设置，第二电压调整单元对应差分放大器的负输入端设置，第一电压调整单元通过对流入差分放大器的正输入端的电流进行抽取控制以调整第一电压，第二电压调整单元通过对流入差分放大器的负输入端的电流进行抽取控制以调整第二电压，以便对放大器的失调电压进行调整；由此，能够明显减小失调电压，且基本不会影响带隙基准的温漂系数，从而提高带隙基准输出电压的精度和稳定性。

摘要： 本申请的实施例提供一种用于基准电压源的启动电路及基准电压源，所述启动电路连接至所述基准电压源的核心电流镜电路，所述启动电路包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管和第一三极管，所述第一NMOS管的栅极连接至所述核心电流镜电路，其漏极连接至所述第三NMOS管的漏极，其源极经由第一三极管接地，所述第一三极管的基极与集电极相连接并且接地；所述第二NMOS管和所述第三NMOS管各自的栅极和漏极相连接；所述第二NMOS管的漏极连接至所述第三NMOS管的源极，其源极连接至第一NMOS管的源极；所述第四NMOS管的栅极连接至所述第五NMOS管的漏极，其漏极连接至电源电压，其源极连接至所述核心电流镜电路并且作为启动电路的输出端。

摘要： 本发明实施例提供一种带隙基准电压源、集成芯片及基准电压产生方法，包括：核心电路、温度补偿电路、电流模加法电路和分压电路；温度补偿电路，用于基于正温度系数电流生成温度补偿电流；分压电路，用于将恒定电流转化为基准电压。温度补偿电路基于正温度系数电流生成温度补偿电流，该温度补偿电流随温度的变化具有指数增长特性，随着温度升高，温度补偿电流将对负温度系数电流和正温度系数电流补偿后进行进一步地补偿，形成二次温度补偿降低温度漂移，从而可以得到低温漂的带隙基准电压，提高带隙基准电压的性能。

摘要： 本发明公开一种带隙基准电压源电路及带隙基准电压源，包括：启动电路用于启动基准电压源；偏置电流源电路通过在亚阈值区的场效应晶体管的栅源电压差控制在线性区的场效应晶体管的电阻，并根据工作在线性区的场效应晶体管的漏源电压和电阻得到偏置电流；低阈值源跟随电路通过控制运算放大器的输出阻抗控制环路增益；带隙基准核心电路根据双极型晶体管在负温度系数的基极‑发射极电压和正温度系数的基极‑发射极电压，得到基准电压；曲率补偿电路产生与温度系数呈反比的补偿电流，以对基准电压进行曲率补偿。获得低功耗高性能高精度的带隙基准电压源。

摘要： 本发明公开了一种电压基准源以及基准电压输出方法，所述电压基准源包括：偏置电流产生模块和基准电压产生模块，所述偏置电流产生模块用于输出偏置电流，所述基准电压产生模块用于基于所述偏置电流产生正温度系数电压和负温度系数电压，并基于所述正温度系数电压和负温度系数电压叠加后输出基准电压，通过修调电路对流经正温度系数电压产生电路的电流进行调节，以调节所述基准电压的温度系数，从而实现基准电压的温度系数接近为零，并且该电压基准源可以实现低供电电压和超低功耗。

摘要： 本实用新型适用于电子技术领域，提供了一种基准单元电路、高压电压基准源和可调高压电压基准源，所述基准单元电路包括：晶体管的集电极或漏极连接阴极端，晶体管的发射极或源极连接运算放大器的负电源端和内部信号地并连接阳极端，晶体管的基极或栅极连接运算放大器的输出端，运算放大器的正电源端连接辅助电源正端，运算放大器的同相输入端连接外部输入参考端，运算放大器的反向输入端和内部信号地之间连接内部输入参考电压；所述晶体管的集电极或漏极在所述单元电路内部开路。本实用新型实现了基准电压高于36V至KV级的电压基准源的设计。

摘要： 本实用新型提供了一种可调可编程高电压基准单元电路和可调高压电压基准源，单元电路包括：晶体管的集电极或漏极连接阴极端，晶体管的发射极或源极连接运算放大器的负电源端和电阻的一端、内部基准源的接地端、内部信号地并连接阳极端，晶体管的基极或栅极连接运算放大器的输出端，运算放大器的正电源端连接内部基准源的输入端并连接辅助电源正端，运算放大器的同相输入端连接外部输入参考端，运算放大器的反向输入端连接电阻的另一端并连接电位器的一个固定端，电位器的滑动端连接电位器的另一个固定端并连接内部基准源的输出端；所述晶体管的集电极或漏极在所述单元电路内部开路。实现了基准电压高于36V至KV级的可调电压基准源的设计。