0.18μm CMOS工艺10Gb/s VCSEL电压驱动器设计

张玉良; 王志功; 苗澎; 田玲

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0.18μm CMOS工艺10Gb/s VCSEL电压驱动器设计

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采用SMIC 0.18 μm 1P6M混合信号CMOS工艺设计了10 Gb/s VCSEL电压驱动器,可以用于驱动共阴结构的VCSEL.电路采用了RC负反馈技术和C3A(电容耦合电流放大器)结构,仿真结果表明,电路在10 Gb/s速率下工作性能良好,最高可工作至12.5 Gb/s.电路采用1.8 V和3.5 V电压供电,直流总功耗为164 mW.

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来源
《中国集成电路》 |2009年第9期|35-38|共4页
作者
张玉良; 王志功; 苗澎; 田玲;
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作者单位

东南大学射频集成电路与系统教育部工程研究中心,江苏南京,210096;

东南大学射频集成电路与系统教育部工程研究中心,江苏南京,210096;

东南大学射频集成电路与系统教育部工程研究中心,江苏南京,210096;

东南大学射频集成电路与系统教育部工程研究中心,江苏南京,210096;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
VCSEL; 电压驱动器; RC负反馈; 电容耦合电流放大器;

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