0.18 μm CMOS プロセスを用いたミリ波帯対応nMOSFET モデルによる20 GHz 発振器の設計

摘要

RF 送受信機においては搬送波信号を得るために発振器が必要不可欠である．また，回路設計を行うためには通常動作周波数の2 倍以上の周波数に対応したデバイスモデルが必要である． しかし，安価なプロセスである0.18 μmCMOS プロセスにおいてはRF モデルが20 GHz までしか対応していないため，20 GHz で動作する発振器の設計には適していなかった．そこで，我々は実測結果を基に，50GHzまで対応したnMOSFET のコンパクトモデルを作製した[1][2]．本研究では，作成した50 GHz 対応nMOSFET モデルの精度を検証し，このモデルを用いて20 GHz の発振器を回路シミュレータを用いて設計する．