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陈宏铭; 蔡旭回;
智原科技,上海,200233;
蒙特卡洛分析; 重要性抽样; 并行处理;
机译:使用选择性金属覆盖晶体管进行激光辐照失效分析的CMOS SRAM测试单元设计
机译:分析不同SRAM单元拓扑和提高读取速度的10T SRAM单元设计
机译:常规6T SRAM单元和基于FinFET的45nm技术的6T SRAM单元参数的比较
机译:利用最可能的故障点的基于FinFET的SRAM单元的失效概率
机译:除了用于基于SRAM的单元中的泄漏和温度控制的存储单元以外,外围电路还具有重要意义。
机译:功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
机译:32NM技术中具有6分CMOS SRAM单元的三个值逻辑8T CNTFET SRAM单元的比较分析
机译:管道冲击混凝土墙的结构失效概率分析
机译:改进的多失效区域失效概率分析的破碎球法
机译:改进多失效区域失效概率分析的破碎球法
机译:四个终端存储器单元,两个晶体管的SRAM单元,一个SRAM阵列,一个计算机系统,一个用于形成SRAM单元的过程,一个用于关闭SRAM单元的过程,一个用于写入SRAM单元的过程以及一个用于读取数据的过程从SRAM单元
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